CCD工作过程有四个。
(1)信号电荷产生;
(2)信号电荷存储;
(3)信号电荷传输;
(4)信号电荷检测与输出。
CCD图像传感器是按一定规律排列的MOS电容器组成的阵列,在P型或N型硅衬底上生长一层很薄(约120nm)的二氧化硅,再在二氧化硅薄层上依次序沉积金属或掺杂多晶硅电极(栅极),形成规则的MOS电容器阵列就构成了CCD芯片。
CCD工作过程有四个。
(1)信号电荷产生;
(2)信号电荷存储;
(3)信号电荷传输;
(4)信号电荷检测与输出。
CCD图像传感器是按一定规律排列的MOS电容器组成的阵列,在P型或N型硅衬底上生长一层很薄(约120nm)的二氧化硅,再在二氧化硅薄层上依次序沉积金属或掺杂多晶硅电极(栅极),形成规则的MOS电容器阵列就构成了CCD芯片。
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