MOS管驱动电压 正常驱动10-15,不要超过20V。
开启的阈值电压4-5V。
关断最好有-5到-10V,或者保持低阻。
30V以下5v以上。mos管是金属、氧化物、半导体场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体、半导体。MOS管的source和drain是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。
MOS管驱动电压 正常驱动10-15,不要超过20V。
开启的阈值电压4-5V。
关断最好有-5到-10V,或者保持低阻。
30V以下5v以上。mos管是金属、氧化物、半导体场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体、半导体。MOS管的source和drain是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。
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