1、ddr4内存时序参数3200(16)8G×16，CL 16-16-16 1.35V为好，默认DDR4 2133，1.2V，加载XMP可以直接提升频率为DDR4 3200 16-16-16-36 2T，高频下的电压为1.35V；
2、ddr4内存不动第一时序就尽量不动第一时序，首先应该从调整第二时序入手，放大tRFC、tREF一般可以获得更高的频率；ddr4内存与ddr4、ddr42内存不同，第一时序中的CR对内存频率和性能影响并不大；ddr4第二时序中的tRTP、tRTW和tWTR对性能影响不大，可以适当放宽以提高超频后的稳定性，tRRD对性能的影响则比较大，尽量避免牺牲tRRD来换取高频；第三时序虽然不起眼而且经常被遗忘，但是其对性能的影响也不小，不建议牺牲第三时序来换取高频，尤其是tRDRD和tWRWR;
1. 在超频过程中，设置适当的时序参数可以有效提高内存速度，但若超频过度会导致系统稳定性问题。
2. 时序参数包括CAS、RAS、tRP等。
其中，CAS（Column Access Strobe）表示列存储器的访问时间，RAS（Row Access Strobe）表示行存储器的访问时间，tRP（Row Precharge Time）表示行预充电时间。
3. 进一步延伸，不同型号内存的时序参数可能不同，超频时应根据实际情况设置适当的时序参数，并在稳定性测试后再进行调整。
同时，在超频前应注意散热，保证内存温度不超过安全范围，以避免加速内存老化。
