MOS管最大持续电流=MOS耐电压/MOS内阻值。
有许多参数会影响开关的性能,但最重要的是栅极/漏极,栅极/源极和漏极/源极电容。
这些电容器在设备中产生开关损耗,因为每次开关时都会对其充电。
因此,降低了MOS晶体管的开关速度,并且还降低了器件效率。
该额定电流应为负载在所有条件下可承受的最大电流。与电压情况类似,即使系统产生尖峰电流,也要确保所选的MOS晶体管能够承受此额定电流。
考虑的两个当前条件是连续模式和脉冲尖峰。在连续导通模式下,MOS晶体管处于稳定状态,此时电流继续流经器件。
MOS管最大持续电流=MOS耐电压/MOS内阻值。
有许多参数会影响开关的性能,但最重要的是栅极/漏极,栅极/源极和漏极/源极电容。
这些电容器在设备中产生开关损耗,因为每次开关时都会对其充电。
因此,降低了MOS晶体管的开关速度,并且还降低了器件效率。
该额定电流应为负载在所有条件下可承受的最大电流。与电压情况类似,即使系统产生尖峰电流,也要确保所选的MOS晶体管能够承受此额定电流。
考虑的两个当前条件是连续模式和脉冲尖峰。在连续导通模式下,MOS晶体管处于稳定状态,此时电流继续流经器件。
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