理论上，P衬底或N衬底都可以。
实际上，自由电子的迁移率是空穴的三倍，因此用自由电子为多数载流子的N型半导体做导电沟道的话，通过电流能力要强得多。另外，从控制角度而言，NMOS可以用正电压开启，使用起来比较方便，而PMOS需要用到负电压，就不那么方便了。
因此常见的功率型MOS管都是N型，PMOS有，比如IRF9540等，但种类比较少，价格也贵一些
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