芯片的介电常数又叫电容率,它是表示绝缘能力特性的一个系数,以字母ε表示,单位为法/米(F/m)。介电常数为电位移D和电场强度E之比,ε=D/Ε。电位移D的单位是库/二次方米(C/m^2)。
在实际应用中,通常相对介电常数出现,以字母εr表示,是无量纲的纯数。εr=ε/ε0,ε为材料介电常数,ε0为真空介电常数,其值等于8.85×10^-12 F/m。相对介电常数εr等于以材料为介质与以真空为介质制成的同尺寸电容器电容量之比,该值也是材料贮电能力的表征。
芯片的介电常数又叫电容率,它是表示绝缘能力特性的一个系数,以字母ε表示,单位为法/米(F/m)。介电常数为电位移D和电场强度E之比,ε=D/Ε。电位移D的单位是库/二次方米(C/m^2)。
在实际应用中,通常相对介电常数出现,以字母εr表示,是无量纲的纯数。εr=ε/ε0,ε为材料介电常数,ε0为真空介电常数,其值等于8.85×10^-12 F/m。相对介电常数εr等于以材料为介质与以真空为介质制成的同尺寸电容器电容量之比,该值也是材料贮电能力的表征。
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