PVD（Physical Vapor Deposition）真空镀膜是一种在真空环境下，利用物理气相沉积的方法在材料表面沉积薄膜的技术。以下是一些常见的 PVD 真空镀膜工艺参数：
1. 真空度：镀膜过程需要在真空环境中进行，通常要求的真空度在 10^-3 至 10^-6 托之间，以避免气体分子对薄膜生长的影响。
2. 沉积气压：沉积气压是指在镀膜过程中，蒸发源和基材之间的气体压力。沉积气压会影响薄膜的生长速率、结晶形态和附着力等。
3. 沉积温度：沉积温度会影响薄膜的结晶形态、晶粒尺寸和表面形貌等。不同的材料和工艺可能需要不同的沉积温度。
4. 沉积时间：沉积时间会影响薄膜的厚度和质量。沉积时间过长可能导致薄膜过厚或出现缺陷，而过短可能导致薄膜厚度不均匀。
5. 蒸发源类型：常见的蒸发源类型包括电子束蒸发、电阻加热蒸发、激光蒸发等。选择合适的蒸发源类型可以控制蒸发速率和薄膜成分。
6. 气体流量：在一些 PVD 工艺中，需要引入反应气体来形成化合物薄膜。气体流量的控制对于薄膜的成分和性能具有重要影响。
7. 基材处理：基材的表面处理可以提高薄膜的附着力和性能。常见的基材处理方法包括清洗、蚀刻、抛光等。
这些参数会根据具体的 PVD 真空镀膜工艺和所沉积的薄膜材料而有所不同。在实际应用中，需要根据具体需求和设备特性进行优化和调整，以获得理想的薄膜性能。
