除了光源，光刻机还面临着许多其他难点。
首先，光刻机需要高精度的光学系统来确保图案的准确传输，这需要精密的光学设计和调整。其次，光刻机需要稳定的机械结构来保持对准和运动的精度，这对于大尺寸的硅片尤为重要。
此外，光刻机还需要高度复杂的控制系统来实现精确的曝光时间和光强度控制，以及对图案的对准和校正。
最后，光刻机还需要处理光刻胶的选择和优化，以确保高分辨率和低缺陷率的图案转移。
除了光源之外，光刻机还面临以下难点：
1. 光刻胶选择：光刻胶是光刻过程中的关键材料，对其选择和优化存在挑战。需要考虑胶的分辨率、耐化学性、显影性能等因素。
2. 接触式和非接触式光刻：传统的接触式光刻存在胶与晶片间的接触和压力等问题，随着要求更高的分辨率，非接触式光刻逐渐发展但面临新的技术挑战。
3. 溢出和剩余胶的处理：在光刻过程中，可能会出现胶溢出或剩余胶的问题，对于微小尺寸的器件，这种问题尤为严重，需要采取适当的处理措施。
4. 对位和对焦：光刻过程中，需要进行精确的对位和对焦操作，以确保图形正确地转移到晶片上。对于复杂结构或多层结构，这种操作更加复杂和困难。
5. 掩模制备：在光刻过程中，需要使用掩模来控制光的传播和模式形成。制备高质量和高精度的掩模是一个挑战，需要考虑到掩模材料、制备工艺等因素。
6. 光刻机的环境和设备控制：光刻机需要在一定的温度、湿度和洁净度环境下进行运行，需要对环境进行控制和维护，同时还需要对设备进行精密的控制和调整。
7. 成本和效率：光刻机的成本较高，投资和运营成本较大，对于一些中小型企业来说可能承担不起。同时，高分辨率的光刻过程可能需要较长的时间，影响生产效率。
这些是光刻机除光源之外的一些难点和挑战。随着科技的进步和技术的改进，这些问题正在得到解决或缓解，光刻技术将进一步发展和应用于更多领域。
