n沟道增强型mosfet特点（n沟道增强型mos场效应管原理）

增强型MOSFET的特点是功耗低、制造简单、几何尺寸小，正是因为些特性才可以更好的将使它们在集成电路中使用。

当栅极和源极端子之间没有施加电压时，增强型MOSFET的漏极 (D) 和源极 (S) 之间没有通路。因此，在栅极到源极施加电压将增强通道，使其能够传导电流。这一特性是将此器件称为增强型MOSFET 的主要原因。

MOS管预夹断：对于N沟道增强型MOSFET而言，只要UGS>UGS(th)，就会出现反型层，也就是在S、D两个高浓度掺杂区之间出现N区，N沟道由此得名。

然后在UDS之间加了电压，D是连接电源正极，根据电子带负电的特性，既然D是正极，在电场力作用下，反型层中的电子就会被吸引到电源正极D，越靠近S，电场能量越小，吸引力越弱，这就导致了反型层在D端比较窄，而在S端比较宽的情况；