mos管栅极电压表示（mos管栅极开启电压过高会怎样）

MOS管的栅极电压是指应用在金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）的栅极上的电压。栅极电压控制着MOS管的导通和截止状态。当栅极电压高于阈值电压时，MOS管导通；当栅极电压低于阈值电压时，MOS管截止。栅极电压的变化可以调节MOS管的导通能力和电流流动。因此，栅极电压是MOS管的重要参数，对于电路设计和性能优化具有重要意义。

MOS的阈值电压是一个范围值的。一般情况下与耐压有关，例如几十V的耐压一般为1-2V，200v以内的一般为2-4V，200V以上的一般为3-5V。 MOS管，当器件由耗尽向反型转变时，要经历一个 Si 表面电子浓度等于空穴浓度的状态。此时器 件处于临界导通状态，器件的栅电压定义为阈值电压，它是MOSFET的重要参数之一 。MOS管的阈值电压等于背栅和源极接在一起时形成沟道需要的栅极对source偏置电压。如果栅极对源极偏置电压小于阈值电压，就没有沟道。

阈值电压通常将传输特性曲线中输出电流随输入电压改变而急剧变化转折区的中点对应的输入电压称为阈值电压.在描述不同的器件时具有不同的参数。

如描述场发射的特性时，电流达到10mA时的电压被称为阈值电压。