它是通过薄膜沉积工艺生产的?
薄膜沉积是半导体工艺三大核心步骤之一。集成电路薄膜沉积可分为物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)和外延。
1.PVD是指通过热蒸发或者靶表面受到粒子轰击时发生原子溅射等物理过程,多应用于金属的沉积;
2.CVD是指通过气体混合的化学反应在硅片表面沉积薄膜的工艺,可应用于绝缘薄膜、多晶硅以及金属膜层的沉积;
3.外延是一种在硅片表面按照衬底晶向生长单晶薄膜的工艺。
它是通过薄膜沉积工艺生产的?
薄膜沉积是半导体工艺三大核心步骤之一。集成电路薄膜沉积可分为物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)和外延。
1.PVD是指通过热蒸发或者靶表面受到粒子轰击时发生原子溅射等物理过程,多应用于金属的沉积;
2.CVD是指通过气体混合的化学反应在硅片表面沉积薄膜的工艺,可应用于绝缘薄膜、多晶硅以及金属膜层的沉积;
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