
目前,芯片制造工艺的极限已经达到了1nm级别。这是由于随着科技的不断进步,制造工艺也在不断地改进和创新。然而,到达这个极限并不容易,需要克服许多技术难题,如光刻技术、材料工程等。此外,随着芯片制造工艺的不断提高,芯片的性能也将得到进一步提升,从而推动着科技的发展。
那就是1nm。而1纳米之所以是硅基芯片的极限,这里面主要基于两点考虑:
第一、硅原子的大小。芯片的制造工艺就是将晶体管注入到硅基材料当中,晶体管越多性能越强,想要提升芯片的工艺,那就要提高单位芯片面积的晶体管数量。
第二、隧穿效应。
所谓隧穿效应,简单来说就是微观粒子可以穿越障碍物的一种现象。