英飞凌igbt芯片命名规则(英飞凌igbt模块价格表)

英飞凌igbt芯片命名规则(英飞凌igbt模块价格表)

首页维修大全综合更新时间:2025-08-17 16:24:55

英飞凌igbt芯片命名规则

1 是采用“F3系列”、“Dual-In-Line”、“SMD”、“high speed”等方式进行命名的。
2 具体来说,F3系列是英飞凌公司IGBT芯片的代表系列,其中包括F3 IGBT、F3-SiC MOSFET等不同类型的芯片;Dual-In-Line则是表明芯片的封装形式,即双排直插式封装;SMD是表明芯片的表面贴装封装形式;high speed是表明芯片具有高速开关特性。
这些命名方式都是为了方便用户选择和识别不同类型的芯片。
3 英飞凌IGBT芯片作为高压、高电流开关元件,其命名规则与其他电子元器件有一些不同,需要用户注意。

M AX IM专有产品型号命名

MAX XXX (X) X X X

1 2 3 4 5 6

1.前缀: MAXIM公司产品代号

2.产品字母后缀:

三字母后缀: C=温度范围; P=封装类型; E=管脚数

四字母后缀:B=指标等级或附带功能; C=温度范围; P=封装类型; I=管脚数

3.指标等级或附带功能: A表示5%的输出精度, E表示防静电

4 .温度范围: C=0℃至70℃(商业级)

I=-20℃至+85℃(工业级)

E=-40℃至+85℃(扩展工业级)

A=-40℃至+85℃(航空级)

M=-55℃至+125℃(军品级)

5.封装形式: A SSOP(缩小外型封装) Q PLCC(塑料式引线芯片承载封装

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