晶圆切割工艺流程（激光切割晶圆工艺流程）

切割工艺流程主要包括：绷片、切割、UV照射。

晶圆切割将一个晶圆上单独的die通过高速旋转的金刚石刀片切割开来，形成独立的单颗的晶片，为后续工序做准备。晶圆切割需要用到特定的切割机刀片。

绷片是一个切割前的晶圆固定工序，在晶圆的背面贴上一层蓝膜，并固定在一个金属框架上，以利于后面切割。

切割过程中需要用去离子水（DI纯水）冲去切割产生的硅渣和释放静电，去离子水由专业制备的小型设备「纯水机」制备。

UV照射是用紫外线照射切割完的蓝膜，降低蓝膜的粘性，方便后续挑粒。