3ad50参数（3ad50c参数）

3AD50功率10W,电流3A,电压C档30V。 (M档12V,A档18V,B档24V) 

集电极最大耗散功率（PCM）：10 W

集电极最大允许电流（ICM）：3 A

集电极与基极反向击穿电压（BVCBO）：60 V

集电极与发射极反向击穿电压（BVCEO）：24 V

集电极与基极反向漏电流（ICBO）：0.3 μA

集电极与发射极反向漏电流（ICEO）：2.5 μA

特征频率（fT）：4 MHz

直流放大系数（hFE）：20～140

芯片材质：锗