ntd系统介绍（ntd技术该怎么填写）

中子嬗变掺杂，Neutron Transmutation Doping (NTD)

这是采用中子辐照的办法来对材料进行掺杂的一种技术，其最大优点就是掺入的杂质浓度分布非常均匀。

对于半导体硅，通过热中子的辐照，可使部分的Si同位素原子转变为磷（P）原子[14Si31的半衰期为2.62小时]： 14Si30+ 中子 → 14Si31+γ射线 →→ 15P31+β射线；从而在Si中出现了施主磷而使Si成为了n型。