可控硅调压电路原理（最简单的双向可控硅调压电路图）

原理如下

       可控硅调压的原理是当外加反向电压时（vce=0）其正向导通，此时导通电阻很小；而正向偏置电压超过某一数值时（vce=vc），它的集电极与发射极之间的压差增大使电流剧增，称为该材料的击穿现象。利用这一原理制成的可控硅调压器可方便地实现自动控制、调节和远距离测量等功能。