PNP晶体管能够充当开关的条件基于其的基极-发射极间的电压。特别地，当基极电压低于发射极，PNP晶体管开关就会打开，并且当基极电压至少达到发射极电压时，PNP晶体管就会关闭。
PNP晶体管是一个三端子设备，有基极、发射极和集电极。在PNP晶体管作为开关的情况，的约定是，当基极-发射极间的电压低于0（即，基极电压低于发射极），弱导电区被消除，晶体管被'打开'，允许电流从发射极流向集电极。相反，基极-发射极电压不小于0（即，基极电压至少等于发射极电压），晶体管被'关闭'，无电流从发射极流向集电极。
扩展：
PNP型三极管，是由2块P型半导体中间夹着1块N型半导体所组成的三极管，所以称为PNP型三极管。也可以描述成，电流从发射极E流入的三极管。
PNP型三极管与NPN型三极管区别
2个PN结的方向不一致。
PNP是共阴极，即两个PN结的N结相连做为基极，另两个P结分别做集电极和发射极；电路图里标示为箭头朝内的三极管。
NPN则相反
工作原理：
晶体三极管按材料分有两种：锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用最多的是硅NPN和PNP两种三极管，两者除了电源极性不同外，其工作原理都是相同的，下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。
对于NPN管，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，发射区与基区之间形成的PN结称为发射结，而集电区与基区形成的PN结称为集电结，三条引线分别称为发射极e、基极b和集电极c。
当b点电位高于e点电位零点几伏时，发射结处于正偏状态，而C点电位高于b点电位几伏时，集电结处于反偏状态，集电极电源Ec要高于基极电源Ebo。
在制造三极管时，有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的，同时基区做得很薄，而且，要严格控制杂质含量，这样，一旦接通电源后，由于发射结正偏，发射区的多数载流子（电子）基极区的多数载流子（空穴）很容易地越过发射结互相向对方扩散，但因前者的浓度基大于后者，所以通过发射结的电流基本上是电子流，这股电子流称为发射极电流Ie。
由于基区很薄，加上集电结的反偏，注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电集电流Ic，只剩下很少（1-10%）的电子在基区的空穴进行复合，被复合掉的基区空穴由基极电源Eb重新补给，从而形成了基极电流Ibo。根据电流连续性原理得：
Ie=Ib+Ic
这就是说，在基极补充一个很小的Ib，就可以在集电极上得到一个较大的Ic，这就是所谓电流放大作用，Ic与Ib是维持一定的比例关系，即：
β1=Ic/Ib
式中：β1--称为直流放大倍数，
集电极电流的变化量△Ic与基极电流的变化量△Ib之比为：
β= △Ic/△Ib
式中β--称为交流电流放大倍数，由于低频时β1和β的数值相差不大，所以有时为了方便起见，对两者不作严格区分，β值约为几十至一百多。
同理，PNP三极管则主要是形成空穴电流，其余原理基本相近。
三极管是一种电流放大器件，但在实际使用中常常利用三极管的电流放大作用，通过电阻转变为电压放大作用。
答：
PNP晶体管能够充当开关的条件基于其的基极-发射极间的电压。特别地，当基极电压低于发射极，PNP晶体管开关就会打开，并且当基极电压至少达到发射极电压时，PNP晶体管就会关闭。
PNP晶体管是一个三端子设备，有基极、发射极和集电极。在PNP晶体管作为开关的情况，的约定是，当基极-发射极间的电压低于0（即，基极电压低于发射极），弱导电区被消除，晶体管被'打开'，允许电流从发射极流向集电极。相反，基极-发射极电压不小于0（即，基极电压至少等于发射极电压），晶体管被'关闭'，无电流从发射极流向集电极。
下一步，你会对如何在电路中正确地使用PNP晶体管感兴趣。首先，确定基极和发射极的适当电压级别。然后，你要使晶体管导通（"开启"），就应在基极和发射极之间提供负电压。你要使晶体管关闭，那么就在基极和发射极之间提供正电压或者至少让基极和发射极的电压等同。
在使用晶体管时，还要考虑到一些其他因素。例如，必须确保晶体管能够处理流经的电流和电压，否则会发生过热和/或损坏。此外，还要考虑到晶体管的开关速度，这个因素会影响电路的效率和性能。
