一. 1947-1958年：晶体管的诞生
1947年：美国贝尔实验室的约翰·巴丁、布拉顿、肖克莱三人发明了晶体管，这是微电子技术发展中第一个里程碑
1950年：结型晶体管诞生
1950年： R Ohl和肖克莱发明了离子注入工艺
1951年：场效应晶体管发明
1956年：C S Fuller发明了扩散工艺
二. 1958-1964年：集成电路的开创
1958年：仙童公司Robert Noyce与德州仪器公司基尔比间隔数月分别发明了集成电路，开创了集成电路的历史；
1960年：H H Loor和E Castellani发明了光刻工艺
1962年：美国RCA公司研制出MOS场效应晶体管
1963年：F.M.Wanlass和C.T.Sah首次提出CMOS技术，今天，95%以上的集成电路芯片都是基于CMOS工艺
1964年: 美国仙童半导体公司研制出第一个单片集成运算放大器μA702
三. 1964-至今：现代意义集成电路的发展
1964年：Intel摩尔提出摩尔定律，预测晶体管集成度将会每18个月增加1倍
1966年：美国RCA公司研制出CMOS集成电路，并研制出第一块门阵列（50门），为现如今的大规模集成电路发展奠定了坚实基础，具有里程碑意义
1967年：应用材料公司（Applied Materials）成立，现已成为全球最大的半导体设备制造公司
1971年：Intel推出1kb动态随机存储器（DRAM），标志着大规模集成电路出现
