逆变器可控硅坏了原因如下
过压击穿是可控硅击穿的主要原因之一。可控硅几乎没有时间承受过电压，即使在几毫秒内，过电压也会被击穿。因此，在实际应用电路中，可控硅两端必须连接RC 收回路，以避免各种不规则干扰脉冲引起的瞬时过电压。如果晶闸管经常发生故障，请检查收回路的部件是否烧坏或失效。
逆变器可控硅坏了可能是由多种因素引起的，包括但不限于以下原因：
1. 过电压：如果逆变器过电压，则可控硅可能会受到电压冲击导致损坏。这可能是由于电源故障或电路设计错误导致的。
2. 过电流：如果逆变器的电流超过了可控硅最大负载电流，可控硅可能会受到电流冲击导致损坏，这可能是由于负载故障或电路设计错误导致的。
3. 温度过高：可控硅通常需要在适当温度下运行，太高的温度会导致可控硅损坏。这可能是由于风扇故障或密封不良导致的。
4. 绝缘损坏：可控硅可能会受到过高的电压冲击，导致绝缘损坏，这可能是由于电气过压或电路设计错误导致的。
5. 其他因素：逆变器可控硅的损坏还可能与器件自身质量不良、静电击穿、电压波动、湿度等因素有关。
总之，逆变器可控硅坏了是由多种因素引起的，需要仔细检查和分析。如果不确定原因，建议向专业技术人员寻求帮助。
