集成电路是通过在衬底上实施一系列工艺步骤形成微细的半导体器件、以及由这些器件组成一定功能的电路结构,然后封装形成的;这些工艺步骤包括光刻、刻蚀、掺杂(包括离子注入等掺杂工艺)、热处理、生长薄膜层等。通常,衬底为轻掺杂的N型半导体或P型半导体。
在集成电路的结构中,所有器件都是制作在阱的表层之中或其表面之上的,阱是制作在衬底的表层之中的具有一定深度的掺杂区域,按照其掺杂类型可分为N阱和P阱。通常,N阱的掺杂元素可以为磷、砷或铺,P阱的掺杂元素为硼。
集成电路是通过在衬底上实施一系列工艺步骤形成微细的半导体器件、以及由这些器件组成一定功能的电路结构,然后封装形成的;这些工艺步骤包括光刻、刻蚀、掺杂(包括离子注入等掺杂工艺)、热处理、生长薄膜层等。通常,衬底为轻掺杂的N型半导体或P型半导体。
在集成电路的结构中,所有器件都是制作在阱的表层之中或其表面之上的,阱是制作在衬底的表层之中的具有一定深度的掺杂区域,按照其掺杂类型可分为N阱和P阱。通常,N阱的掺杂元素可以为磷、砷或铺,P阱的掺杂元素为硼。
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