氮化镓充电器优点:氮化镓号称第三代半导体核心材料。相对硅而言,氮化镓拥有更宽的带隙,宽带隙也意味着,氮化镓能比硅承受更高的电压,拥有更好的导电能力。简而言之两种材料在相同体积下,氮化镓比硅的效率高出不少。如果氮化镓替换现在所有电子设备,可能会让电子产品的用电量再减少10%或者25%。
氮化镓充电器缺点:价格昂贵。
优点:与普通半导体的硅材料相比,氮化镓的带隙更宽且导热好,能够匹配体积更小的变压器和大功率电感,所以氮化镓充电器有体积小、效率高、更安全等优势
缺点:氮化镓充电器主要缺点是成本高。氮化镓作为新型第三代化合物,合成环境要求很高,从制造工艺上讲,氮化镓没有液态,不能使用单晶硅的传统直拉法拉出单晶,纯靠气体反应合成,在氨气流中超过1000度加热金属镓半小时才能形成粉末状氮化镓,所以氮化镓充电器的成本更高,对应市面上的氮化镓充电器售价也比传统充电器高出一大截。