倍思65w氮化镓有什么缺点（倍思65w氮化镓一代和二代区别）

倍思65w氮化镓芯片作为高功率射频元件，具有较高的功率密度和热导率，但其缺点主要包括高成本、制造复杂度高、晶片面积相对较小等。此外，氮化镓芯片的制造过程较为复杂，对设备和工艺参数的要求较高，因此生产难度较大。此类缺点限制了其在某些领域的广泛应用。

倍思65w氮化镓的充电协议比较少。狠多手机无法实现快充