EUV光刻机之所以难以制造，原因有多个方面：
光源问题：EUV光刻机需要使用波长为13.5纳米的光源，这是目前已知的最短波长光源。然而，这种波长很难产生，且非常容易被吸收，因此需要使用高功率的激光器和多层反射镜等技术来增加光源的亮度。这不仅会增加成本，还会影响设备的稳定性。
操作环境问题：EUV光刻机需要在真空环境下操作，因为EUV光线极容易被氧气等分子吸收，从而失去能量和精度。然而，真空环境对设备的控制和维护也提出了更高的要求，并且可能会增加装置的复杂性和成本。
材料选择问题：EUV光刻机需要使用多层反射镜来反射和聚焦光线，这些镜片需要具备非常高的反射率和精度，并且能够承受强烈的辐照。然而，现有的材料很难满足这些要求，需要开发新的材料或者工艺。
制造成本问题：由于EUV光刻机的技术含量和制造难度都非常高，因此其价格也非常昂贵，甚至达到了几千万美元的水平。这使得EUV光刻机的购买和使用成本非常高，只有大型半导体制造企业才有能力承担。
光刻胶问题：在图案转移工艺中，光刻胶是关键的材料。较薄的光刻胶更容易产生随机缺陷，这已经是导致EUV良率损失的主要原因之一。另外，曝光和未曝光的光刻胶特征之间的对比度也可能会很差，这可能需要初步的“去浮渣”步骤。较薄的光刻胶在残留物去除和图案转移蚀刻期间也更容易受到侵蚀。
这些因素共同导致了EUV光刻机的制造难度和成本都极高。
