DRAM，即动态随机存储器，是一种基于电容器存储数据的半导体存储器。DRAM基本结构包括存储单元、地址译码器、列选择器、行选择器和刷新控制器等部分。
DRAM的原理是通过给每个存储单元充电或放电来表示二进制的0或1，由于电容器会逐渐失去电荷，因此需要定期进行刷新操作。
DRAM相对于SRAM具有更高的存储密度和低功耗，但读写速度较慢，需要频繁刷新，同时易受干扰。
DRAM基本结构与原理是由存储单元、地址线、数据线和控制线组成的。
存储单元是由一个电容和一个开关组成，电容用来存储数据，开关用来控制数据的读写。
地址线用来选择要读写的存储单元，数据线用来传输数据，控制线用来控制读写操作的进行。
DRAM的原理是通过给存储单元的电容充电或放电来表示存储的数据。
当需要读取数据时，控制线会将读取命令发送给DRAM，DRAM会根据地址线选择对应的存储单元，然后将存储单元中的数据通过数据线传输给外部。
当需要写入数据时，控制线会将写入命令和数据发送给DRAM，DRAM会将数据写入到对应的存储单元中。
DRAM是一种易失性存储器，即当断电时，存储在其中的数据会丢失。
为了保持数据的可靠性，DRAM需要定期进行刷新操作，即将存储单元中的数据重新读出来然后再写回去，以防止数据丢失。
此外，由于DRAM的存储单元是由电容组成的，所以在读取和写入数据时需要消耗一定的能量，因此相比于其他存储器技术，DRAM的功耗较高。
但是由于DRAM具有较高的集成度和较低的成本，所以在计算机系统中得到了广泛应用。
