内存卡是通过半导体存储芯片来存储数据的。
原因是：半导体存储芯片可以将数据存储在微小的电容或晶体管中，这些电容或晶体管的状态可以被精确读取和写入，从而实现数据的存储和读取。
内存卡的存储原理与计算机内存的存储原理基本相同，都是通过半导体存储芯片来实现的。
但是不同类型的内存卡容量和读写速度有较大差异，因为它们使用了不同尺寸和技术的存储芯片。
同时，内存卡也有不同的接口标准和外部尺寸，如SD、CF、MicroSD等，这也影响着不同设备的内存卡使用和兼容性。
手机内存卡 存储原理是运用闪存技术。是一种电子式 可清除程序化只读存储器 的形式，允许在操作中被多次擦或写的存储器。
闪存的基本单元电路，与EEPROM类似，也是由双层浮空栅MOS管 组成。但是第一层栅介质很薄，作为隧道氧化层。
写入方法与EEPROM相同，在第二级浮空栅加以正电压，使电子进入第一级浮空栅。读出方法与EPROM相同。
擦除方法是在源极加正电压利用第一级浮空栅与源极之间的隧道效应 ，把注入至浮空栅的负电荷吸引到源极。由于利用源极加正电压擦除，因此各单元的源极联在一起，这样，快擦存储器不能按字节擦除，而是全片或分块擦除。
到后来，随着半导体技术的改进，闪存也实现了单晶体管（1T）的设计，主要就是在原有的晶体管上加入了浮动栅和选择栅，在源极和漏极之间电流单向传导的半导体上形成贮存电子的浮动棚。
浮动栅包裹着一层硅氧化膜绝缘体 。它的上面是在源极和漏极之间控制传导电流的选择/控制栅。数据是0或1取决于在硅底板上形成的浮动栅中是否有电子。有电子为0，无电子为1。闪存就如同其名字一样，写入前删除数据进行初始化。具体说就是从所有浮动栅中导出电子。即将有所数据归“1”。写入时只有数据为0时才进行写入，数据为1时则什么也不做。写入0时，向栅电极和漏极施加高电压，增加在源极和漏极之间传导的电子能量。这样一来，电子就会突破氧化膜绝缘体，进入浮动栅。
读取数据时，向栅电极施加一定的电压，电流大为1，电流小则定为0。浮动栅没有电子的状态（数据为1）下，在栅电极施加电压的状态时向漏极施加电压，源极和漏极之间由于大量电子的移动，就会产生电流。而在浮动栅有电子的状态（数据为0）下，沟道中传导的电子就会减少。
因为施加在栅电极的电压被浮动栅电子吸收后，很难对沟道产生影响。
