nce6075k场效应管参数

NCE6075K参数

制造商

无锡新洁能股份有限公司

产品种类

MOSFET

产品特性

N沟道增强型功率MOSFET

漏源极击穿电压（最大）

60V

连续漏极电流（最大）

75A

功率耗散（最大）

100W

栅源极击穿电压

20V

漏源导通电阻（典型值）(10V)

9.1mΩ

封装

TO252