因为PN结的内电场是靠近P区积累负电荷,靠近N区积累正电荷。
当加正向电压时,即P区加正,N区加负,在电场力的作用下,有利于P区的多子——空穴,向N区方向移动,使P区的负电荷层靠近P区的部分重新获得空穴,从而使负电荷层变窄。同理,N区的多子——自由电子也向P区方向漂移,使N区的正电荷层变窄。即整个PN结的空间电荷区变窄了。
当加反向电压时,即P区加负,N区加正,这时P区的多子——空穴,在电场力的作用下,会向远离PN结的P区边缘移动,P区粒子失去空穴,使负电荷区变厚。N区的多子同样会向远离PN结的N区边缘移动,使N区的正电荷区加宽。即整个PN结变厚了。