MOS管驱动电阻通常需要具备高速、低电感、低电容和高稳定性等特性，常用的电阻有以下几种：
金属膜电阻：金属膜电阻是一种常用的传统电阻，具有价格低廉、精度较高和温度系数较小等优点，可用于一般性的驱动电路。
薄膜电阻：薄膜电阻是一种电阻精度高、稳定性好的电阻，其制作方法是在基材表面沉积一层金属薄膜，具有较低的电感和电容。
有机电阻：有机电阻是一种基于碳、氧、氮等元素构成的有机化合物，具有稳定性好、耐腐蚀性强、尺寸小等优点，可用于高精度、高速的驱动电路。
金属箔电阻：金属箔电阻是一种具有较高稳定性和精度的电阻，其制作方法是在陶瓷或玻璃基材上蒸镀一层金属箔，并采用高精度的刻蚀技术制作出电阻。
在选择MOS管驱动电阻时，需要考虑电路的工作条件、驱动电路的要求和成本等因素，选择适合的电阻类型。
一般R5大概在10R-220R之间吧。很显然，R4+R5等于栅极驱动电阻，R4大约取100R-470R之间，R4太小了电流太大，三极管Q2过热。
R3是根据R4来计算的，计算一下电流，放大位数，大约在1K-4K7左右吧。
R2是Q1的负载电阻，并和R3为Q2提供基极电流，大概1K-4K7，和R3相等就好了，R1大概4K7-10K.
