是三端器件。具有栅极G、集电极C和发射极E。由N沟道VDMOSFET与双极型晶体管组合而成的IGBT,比VDMOSFET多一层P+注入区,实现对漂移区电导率进行调制,使得IGBT具有很强的通流能力。
是三端器件。具有栅极G、集电极C和发射极E。由N沟道VDMOSFET与双极型晶体管组合而成的IGBT,比VDMOSFET多一层P+注入区,实现对漂移区电导率进行调制,使得IGBT具有很强的通流能力。
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