n沟道mos管内部结构（n沟道增强型mos管结构示意图）

N沟道MOS管的内部结构如下：

在一块掺杂浓度较低的P型硅衬底上，制作两个高掺杂浓度的N+区，并用金属铝引出两个电极，分别作漏极d和源极s。

然后在半导体表面覆盖一层很薄的二氧化硅(SiO2)绝缘层，在漏——源极间的绝缘层上再装上一个铝电极，作为栅极g。在衬底上也引出一个电极B，这就构成了一个N沟道增强型MOS管。