场效应MOS管IRF9540参数
PD最大耗散功率：140W
ID最大漏源电流：-23V
(BR)DSS漏源击穿电压：-100V
RDS(ON)Ω内阻：0.1Ω
VRDS(ON)ld通态电流：-11A
VRDS(ON)栅极电压：-10V
VGS(th)V开启电压：-2~-4V
VGS(th)ld(μA)开启电流：-250μA
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