f9540场效应管参数（IRF9540场效应管技术参数）

场效应MOS管F9540n参数:

PD最大耗散功率：140W

ID最大漏源电流：-23

V(BR)DSS漏源击穿电压：-100V

RDS(ON)Ω内阻：0.1Ω

VRDS(ON)ld通态电流：-11A

VRDS(ON)栅极电压：-10V

VGS(th)V开启电压：-2~-4V

VGS(th)ld(μA)开启电流：-250μA

f9540场效应管是P沟道增强型MOSFET。