光刻芯片的技术是可以突破一纳米的限制的,但是目前的技术水平还达不到所以目前只能进行两纳米左右芯片的生产和制作,需要等待日后工艺突破
目前不可以,需要更换材料和光刻设备。
芯片制程以目前的硅基芯片和紫外光光刻机来说是无法达到1nm制程的,因为硅原子是1/4nm,而晶体管结构使晶体管的尺寸无法小于1nm。所以想要小于1nm就必须更换其他比硅原子小的材料,同时光刻设备也需要做出修改。但目前还无法找到可以替换的材料,实验室项目有碳基芯片,但其结构要大于1nm。
光刻芯片的技术是可以突破一纳米的限制的,但是目前的技术水平还达不到所以目前只能进行两纳米左右芯片的生产和制作,需要等待日后工艺突破
目前不可以,需要更换材料和光刻设备。
芯片制程以目前的硅基芯片和紫外光光刻机来说是无法达到1nm制程的,因为硅原子是1/4nm,而晶体管结构使晶体管的尺寸无法小于1nm。所以想要小于1nm就必须更换其他比硅原子小的材料,同时光刻设备也需要做出修改。但目前还无法找到可以替换的材料,实验室项目有碳基芯片,但其结构要大于1nm。
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