MOS（金属氧化物半导体）是一种常用于集成电路的半导体技术，其关键技术参数包括：
1. 电流特性：包括漏电流、饱和电流和顶部电流等参数，用以描述器件在不同工作状态下的电流特性。
2. 电压特性：包括阈值电压、击穿电压和耐压等参数，用以描述器件在不同工作条件下的电压特性。
3. 转导特性：即器件的传导效率，用以描述输入电压和输出电流之间的关系，一般以导纳或互阻来表示。
4. 速度特性：包括开关速度、截止频率和传输延迟等参数，用以描述器件的响应速度和工作频率范围。
5. 噪声特性：包括噪声系数、噪声功率和噪声温度等参数，用以描述器件的信号噪声性能。
6. 温度特性：包括温度系数和工作温度范围等参数，用以描述器件在不同温度下的性能表现和稳定性。
7. 容量特性：包括输入电容、输出电容和互补电容等参数，用以描述器件的电容性能和能耗情况。
8. 尺寸特性：包括栅极长度、栅极宽度和沟道长度等参数，用以描述器件的几何特征和空间布局。
9. 可靠性特性：包括寿命、可靠性指标和故障率等参数，用以描述器件的可靠性和使用寿命。
这些技术参数对于设计和应用MOS器件都非常重要，能够影响器件的性能、功耗、噪声和可靠性等方面。
