As的第一电离能大于Se的原因可以从原子结构和电子排布的角度来解释。
首先,As的原子序数比Se大,这意味着As的核电荷数更多,对核外电子的吸引力更强,使得电子更不容易从原子中脱离。因此,As的第一电离能相对较大。
其次,从电子排布的角度来看,As和Se都有相同的电子排布式,即ns²np⁴。然而,As的原子半径比Se小,这意味着As的电子云密度更高,对电子的排斥力更强,使得电子更不容易从原子中脱离。因此,As的第一电离能进一步增加。
综上所述,As的第一电离能大于Se是由于其原子结构和电子排布的特点所决定的。
因为As的最外层电子排布为4s24p3,而Se的最外层电子排布为4S24P4,As的4P轨道为半充满状态,根据洪特规则,能量低,稳定,因此第一电离能大