作为一个半导体开关器件用，开关频率比mosfet要低不少，功率要大不少。
igbt以其输入阻抗高、开关速度快、通态电压低、阻断电压高、承受电流大等特点，已成为当今功率半导体器件发展的主流器件。自二十世纪八十年代初期研制成功以来，其工艺技术和参数不断改进和提高，igbt已由第三代、第四代发展到了第五代，由穿通型（pt型）发展到非穿通型（npt型），其电性能参数日趋完善。
igbt模块也在此基础上同步发展，有单管模块、半桥模块、高端模块、低端模块、6单元模块等。合理的驱动保护是igbt安全工作的前提条件，特别是选择合理的栅极驱动电压uge和合理的栅极串联电阻rg，以及过电压过电流保护尤为重要。igbt模块的应用电路有半桥电路逆变、全桥电路逆变、三相逆变、斩波应用等。
igbt模块已被广泛应用于ups、感应加热电源、逆变焊机电源和电机变频调速等电源领域。
从功能上来说，IGBT就是一个电路开关，优点就是用电压控制，饱和压降小，耐压高。用在电压几十到几百伏量级、电流几十到几百安量级的强电上的。而且IGBT不用机械按钮，它是由计算机控制的。
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所以有了IGBT这种开关，就可以设计出一类电路，通过计算机控制IGBT，把电源侧的交流电变成给定电压的直流电，或是把各种电变成所需频率的交流电，给负载使用。这类电路统称变换器。
