整流桥参数如下,
型号:DB107g
特性:高压整流桥堆
电性参数:1A,1000V
正向电流(Io):1A
芯片个数:4
正向电压(VF):
芯片尺寸:50MIL
浪涌电流Ifsm:30A
漏电流(Ir):5uA
工作温度:-55~+150℃
恢复时间(Trr):500ns
引线数量:4
一般整流桥的名称有3个数字,第一个数字代表额定电流,A;后两位数字代表额定电压(数字*100),V 。如:DB107g表示1A,1000V。
整流桥参数如下,
型号:DB107g
特性:高压整流桥堆
电性参数:1A,1000V
正向电流(Io):1A
芯片个数:4
正向电压(VF):
芯片尺寸:50MIL
浪涌电流Ifsm:30A
漏电流(Ir):5uA
工作温度:-55~+150℃
恢复时间(Trr):500ns
引线数量:4
一般整流桥的名称有3个数字,第一个数字代表额定电流,A;后两位数字代表额定电压(数字*100),V 。如:DB107g表示1A,1000V。
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