光刻机光刻胶的区别主要体现在以下几个方面：1. 成分区别：光刻胶是一种光敏聚合物材料，根据不同的应用需求，可以选择不同成分的光刻胶。
常见的光刻胶有正胶和负胶两种类型，它们的成分和化学反应机制不同。
2. 曝光方式区别：正胶和负胶在曝光方式上也有所不同。
正胶在曝光过程中，被光照射的区域会发生聚合反应，形成固化的区域；而负胶则是被光照射的区域会发生解聚反应，形成溶解的区域。
3. 分辨率区别：光刻胶的分辨率是指它能够实现的最小特征尺寸。
一般来说，正胶的分辨率相对较高，可以实现更细小的特征；而负胶的分辨率相对较低，适用于一些对分辨率要求不高的应用。
4. 应用领域区别：由于正胶和负胶在成分和性质上的差异，它们在应用领域上也有所区别。
正胶常用于微电子制造中的光刻工艺，用于制作集成电路等微细结构；而负胶则常用于光学元件制造、微流控芯片制作等领域。
总结起来，光刻机光刻胶的区别主要体现在成分、曝光方式、分辨率和应用领域上。
根据具体的需求和应用场景，选择适合的光刻胶类型可以更好地满足实际需求。
光刻胶和光刻机的区别是作用不同。光刻胶是微电子技术中微细图形加工的关键材料之一，特别是近年来大规模和超大规模集成电路的发展，更是大大促进了光刻胶的研究开发和应用；而光刻机是制造芯片的核心装备。采用类似照片冲印的技术，把掩膜版上的精细图形通过光线的曝光印制到硅片上。
