
8N60是一种功率管,其参数包括最大漏极-源极电压(VDS)为600V,最大漏极电流(ID)为8A,最大功率耗散(PD)为125W,栅极-源极电压(VGS)范围为±30V,栅极-源极阈值电压(VGS(th))为2-4V,漏极-源极导通电阻(RDS(on))为1.5-2.5Ω。此功率管适用于高压、高功率应用,如电源、电机驱动等领域。
1. 8n60功率管的参数是什么?2. 8n60功率管是一种N沟道MOSFET功率管,其参数包括导通电阻、漏源电流、最大耗散功率、最大漏极电压等。
这些参数决定了功率管的性能和适用范围。
3. 除了上述参数外,还有一些其他重要的参数,如开启电压、关断电压、输入电容、输出电容等。
这些参数对于功率管的驱动和应用也具有重要的影响。
在选择和使用8n60功率管时,需要综合考虑这些参数,以确保其能够满足具体的应用需求。