三极管（Transistor）是一种半导体器件，它的工作原理基于电子和空穴（Carriers）的结合与分离。三极管主要由两个p型半导体和一个n型半导体组成，它们通过扩散层（diffusion layer）和基区（base region）连接在一起。
三极管的主要功能是放大信号。在放大过程中，基极（base）作为控制电极，通过控制电子和空穴在集电极（collector）和发射极（emitter）之间的扩散和复合程度，实现信号的放大。
三极管的基本工作原理可以通过以下三个过程来描述：
1. 控制极电流（I_B）：当控制极（通常由基极b）施加一个较小的正向电压时，会导致更多的电子从n型半导体扩散到p型半导体，从而形成一个较大的空穴。这些空穴会吸引更多的电子与之结合，导致集电极和发射极之间形成一个较大的电流。这个较大的电流称为集电极电流（I_C）。
2. 放大区：当控制极电流（I_B）保持不变时，由于基区中的空穴和n型半导体中的电子会逐渐结合，集电极电流（I_C）会逐渐减小。这是因为基区中的空穴被耗尽，不再能吸引更多的电子。这个过程称为饱和区。
3. 截止区：当控制极电流（I_B）较小时，集电极电流（I_C）会非常小。这是因为控制极电流不足以在基区形成足够的空穴，从而无法吸引足够的电子与之结合。这个过程称为截止区。
三极管的放大能力取决于三个主要参数：I_B、I_C和V_CE。通过调整控制极电流（I_B）和集电极电压（V_CE），可以实现对三极管放大特性的控制。在实际应用中，三极管常常用于放大微弱的电信号，从而实现信号的放大、滤波、调制和解调等功能。
1、晶体三极管按材料分有两种：锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用最多的是硅NPN和锗PNP两种三极管。
2、N型半导体在高纯度硅中加入磷取代一些硅原子，在电压刺激下产生自由电子导电，而P是正极的意思，是加入硼取代硅，产生大量空穴利于导电。两者除了电源极性不同外，其工作原理都是相同的。
方大原理：
1、发射区向基区发射电子。
2、基区中电子的扩散与复合。
3、集电区收集电子。
