一、IGBT驱动电路。驱动电路三极管导通不良时,激励不足,引发IGBT过耗损坏;G极泄放电阻开路时,会引起上电即烧IGBT和关机后IGBT自行击穿的现象。限幅稳压二极管漏电后对驱动信号有影响,引发IGBT过耗损坏。
二、305V供电回答。若整流桥或滤波电容异常导致305V电压低时,可以引起IGBT导通角增大,LC频率升高等异常现象,会引起IGBT过流过压损坏。
三、18V供电回答。当18V电压偏低时,会导致激励不足的过耗损坏。18V电压偏高时一般不会危及IGBT安全。
四、LC谐振回路。谐振电容变小后,谐振频率上升,IGBT截止时间缩短内耗增回而损坏。谐振电容开路后,IGBT因没有LC振荡的阻尼作用导致过流损坏。
五、IGBT高压保护。锅具材质不同,LC产生的谐振电压峰值也不同,有些会高于IGBT耐压值,这种情况下需要对IGBT进行保护。当保护电路失效时,LC谐振电压过高时损坏IGBT.
六、代换IGBT不匹配。电磁炉设计时,不仅要考虑元件参数指标,最重要的还要考虑到电磁炉的热效率。参数值高的IGBT也不一定能代换。(整机振荡控制电路是非常精密的。)