什么是小间距LED？
回答：间距大于1.5mm的就是小间距。
什么是Mini LED？
回答：间距小于1.5mm，大于0.3mm的就是Mini LED。
什么是Micro LED？
回答：间距小于0.3mm的就是Micro LED。
小间距、Mini、Micro相关产品对比
或许有人对Micro LED还不熟悉，实际上，从本质上来说，Micro LED、Mini LED一样，都是基于微小的LED晶体颗粒作为像素发光点，区别在于，Micro LED是采用的1-10微米的LED晶体，实现0.05毫米或更小尺寸像素颗粒的显示屏；MiniLED则是采用数十微米级的LED晶体，实现0.5-1.2毫米像素颗粒的显示屏。而我们耳熟能详的小间距LED，采用的是亚毫米级LED晶体，最终实现1.0-2.0毫米像素颗粒显示屏。
首先仅从尺寸上考虑，各尺寸定义间存在重叠。之所以叫小间距是与大间距相比的。LED显示屏的发展是个循序渐进的过程，当蓝色发光二级管出现后，出现了全彩LED显示屏，但早期的LED全彩显示屏主要用于户外显示，其间距甚至超过了1厘米。随着半导体及发光二极管体积缩小，全彩LED显示屏的间距也随之缩小。目前一般会把小于5mm大于1mm间距的全彩屏都称为小间距。
Mini LED是随着LED点间距不断缩小，当出现小于1mm的灯珠时就出现了Mini LED的概念。其实在毫米后还有丝米dmm（10丝米=1毫米）、忽米cmm（ 10忽米=1丝米）然后才是微米（10微米=1忽米）。但丝米、忽米这两个单位已经不用了，可这个尺寸范围显然还没到微的程度，但考虑到灯珠的尺寸与像素间距间的关系，因此这也就将1.5mm到0.3mm定义为Mini。
MicroLED ，其实这里Micro是更微小的意思而并不指具体尺寸。目前我们用的长度的法定计量单位在小于1毫米后一般依然用毫米为单位如0.01mm,但到了小于0.01mm时往往就会用微米即0.01mm=10um。当然，如直接将0.1mm写成100um也是正确的，这就好比可把1cm写成10000um是一个道理。这也是造成了目前对Micro LED尺寸定义混淆的原因。
其次，是因为各个厂家根据自己产品的特性来定义的。当把生产工艺与间距合并考虑时就更容易产生混淆。这是因为，每种生产工艺在间距上都有相互重叠的部分。
最后，对于最终用户来说无论叫Mini还是叫Micro，看点间距就对了。其实对于什么是Mini LED 2020年6月3日由深圳照明与显示工程协会组织正式发布的团体标准《Mini-LED商用显示屏通用技术规范》定义了Mini LED的间距为0.3mm-1.5mm。GQY推出的Mini LED全倒装COB节能冷屏规格为1.25到0.7，均在Mini LED范围内，因此，只要选择的是GQY全倒装COB节能冷屏的产品均为Mini LED。当然，在不久的将来，您也一定能看到GQY推出的真正的可量产的Micro LED 产品。
小间距LED
自2015年以来，小间距市场爆发增长，在亮度、色彩、可靠性等方面优势显著，在专业显示市场对液晶和DLP拼接屏的快速替代，当前渗透率接近20％，技术进步和成本下降推动小间距性价比持续提升，替代空间巨大。从平均10mm向2mm以下前进，进而开始与DLP、LCD银幕竞争室内显示器市场。
对于全球市场模规方面，根据OFweek产业研究院资料显示，预计2020年将逼近18亿美元。从产品像素点间距来看，有超过七成产品为点间距在P2．5－P1．7之间；从区域分布来看，占比最大的区域为亚太地区（50－60％），其次为北美、欧洲地区。从区域分布看，亚太地区为比重最高的市场约50％～60％，其次为北美、欧洲地区。应用领域方面，小间距LED主要应用在商显，高端零售，电影，广告，文娱在内等多个行业，然而小间距LED还是有其物理上的技术限制，因此对于更小间距的消费应用市场，就留给Mini LED、Micro LED发挥。
Mini LED
Mini LED作为小间距LED与Micro LED的过渡应用，其优势在于Mini LED背光能够利用已有的LCD技术基础（采用局部调光设计，直下背光源数千颗，万颗，有着更为精细的HDR分区）结合成熟的RGB LED技术，将产品推出的周期缩短。它解决了超小间距LED显示屏易损坏，弥补了小间距LED的不足。以生产环节看，Mini LED目前虽然在中期阶段，但面临的困难不像Micro LED难以突破。不过要顺利推动还是需要外延片、晶片、封装、基板、TFT 背板、驱动IC 与设备厂商等共同努力。据有关报道，Mini LED未来可能的发展方向，涵盖电视、手机、车用面板、显示器，电竞笔记本等，预估2023年整体Mini LED产值将达到10亿美元，其中LED显示荧幕及大尺寸电视等，将是Mini LED应用的主流。
MicroLED
Micro LED是LED产业的延伸，在LED晶片制造环节与传统技术具备相似性，同样需要外延片、RGB 三色晶粒与组装。Micro LED 虽然前段制程与面板、IC 电路相似，但多了一项巨量转移制程。而目前Micro LED量产最大难关就是在此环节上。
因为Micro LED基板主要是电流驱动的TFT结构，而将数以万计的LED晶片转移至TFT基板上（巨量转移过程），就是目前各厂所面临的良率及效率的严峻考验。若要达到商用化程度，Micro LED巨量转移良率必须达到99．9999％。如果只以99．99％良率计算，一台4K 显示器上的不合格晶片将高达2488．32颗。由此可以看出目前各厂面对这座巨大技术高墙暂时难以突破。不过，即使Micro LED良率问题无法有效改善，但今年Micro LED应用将可在小尺吋市场中见到身影，特别是穿戴式消费性电子，随后在2021年开始渗透至智慧手机与电视领域，而智慧手机将是Micro LED显示技术运用最大的领域。
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