1. 按结构分类
根据工作原理不同分类,分为双极晶体管和单极晶体管。
双极晶体管
双是指Bi(2个)、极是指Polar(极性)。双极晶体管,即流经构成晶体管的半导体的电流由空穴(正极性)和电子(负极性)产生。一般而言的晶体管是指这种由硅构成的晶体管。
FET
Field Effect Transistor的简称,是指场效应晶体管。有接合型FET和MOS型FET以及GaAs型。
接合型FET多用于音频设备等的模拟电路中,MOS型FET主要用于微控制器等数字IC。
GaAs型用于卫星广播信号接收等的微波增幅。
※MOS
Metal Oxide SemicONductor的简称,因其构造分别是金属 (Metal)、硅酸化膜 (Oxide)、半導体 (SemicONductor),故称MOS。MOS还分为P型、N型、C型,因为消费电流小,用于微控制器等集成度高的IC。
2. 按功率分类
主要以最大额定值的集电极功率PC进行区分的方法。大体分为小信号晶体管和功率晶体管,一般功率晶体管的功率超过1W。ROHM的小信号晶体管可以说是业界第一的。
小信号晶体管
最大集电极电流 (IC(max)) 在500mA以下,最大集电极功率 (PC(max)) 不超过1W的晶体管。相对功率晶体管而得名,一般以树脂封装居多,这是其特点之一。
功率晶体管
一般功率晶体管的功率超过1W。相比小信号晶体管拥有更大的最大集电极电流、最大集电极功率,对于散热而言,它本身形状就很大 ,有的功率晶体管上还覆盖着金属散热片。
晶体管"一词由Transfer(传送信号)和Resistor(电阻器)组成。构成晶体管的硅是形成地球的岩石中大量含有的物质。因此,晶体管也俗称"石",设计者常用"…之石"的叫法
3. 按集成度分类
为满足客户需求,ROHM在分立式晶体管以外,还制造集成多个晶体管的复合晶体管。包括内置电阻的数字晶体管、集多个晶体管于一体的晶体管阵列,还有构成简单电路的晶体管单元。
※数字晶体管
内置电阻的晶体管。它是在电路设计中将频繁使用的部分标准化的产物。
4. 按形状分类
根据功率及安装形态,决定了晶体管的外形大小和形状。大体分为引脚型和表面安装型。
来源:ROHM
作者:ROHM
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