1.材质不同 传统的普通充电器,它的基础材料是硅。 氮化镓(GaN)被称为第三代半导体材料。
2.特点不同 相比硅,氮化镓的性能成倍提升,而且比硅更适合做大功率器件、体积更小、功率密度更大。氮化镓芯片频率远高于硅,有效降低内部变压器等原件体积,同时优秀的散热性能也使内部排布更加精宏密。
1.材质不同 传统的普通充电器,它的基础材料是硅。 氮化镓(GaN)被称为第三代半导体材料。
2.特点不同 相比硅,氮化镓的性能成倍提升,而且比硅更适合做大功率器件、体积更小、功率密度更大。氮化镓芯片频率远高于硅,有效降低内部变压器等原件体积,同时优秀的散热性能也使内部排布更加精宏密。
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