集成电路的发展经历了一个漫长的过程，以下以时间顺序，简述它的发展过程：
1906年，第一个电子管诞生；
1912年前后，电子管的制作日趋成熟引发了无线电技术的发展；
1918年前后，逐步发现了半导体材料；
1920年，发现半导体材料所具有的光敏特性；
1932年前后，运用量子学说建立了能带理论研究半导体现象(这也为经典工艺所能达到的集成尺寸极限下了定论——7NM)；
1946年，威廉.肖克利(硅谷创始人，杰出的电子工艺学家，物理学家)的研发小组成功研发半导体晶体管，使得IC大规模地发挥热力奠定了基础；
1956年，硅台面晶体管问世；
1960年12月，世界上第一块硅集成电路制造成功；
1966年，美国贝尔实验室使用比较完善的硅外延平面工艺制造成第一块公认的大规模集成电路；
1988年，16M DRAM问世，1平方厘米大小的硅片上集成有3500万个晶体管，标志着进入超大规模集成电路阶段的更高阶段；
1997年，300MHz奔腾Ⅱ问世,采用0.25μｍ工艺，奔腾系列芯片的推出让计算机的发展如虎添翼，发展速度让人惊叹；
2009年，intel酷睿i系列全新推出，创纪录采用了领先的32纳米工艺，并且下一代22纳米工艺正在研发。集成电路制作工艺的日益成熟和各集成电路厂商的不断竞争，使集成电路发挥了它更大的功能，更好的服务于社会。由此集成电路从产生到成熟大致经历了如下过程：电子管——晶体管——集成电路——超大规模集成电路。
