igbt型号参数的含义

igbt型号参数的含义

首页维修大全生活更新时间:2023-04-21 17:40:18

igbt型号参数的含义

1.集电极—发射极间电压(VCES)-在门极-发射极之间处于短路状态时,集电极-发射极间的最大电压。

2.门极—发射极间电压(VGES)-在集电极-发射极间处于短路状态时,门极-发射极间能够施加的最大电压(通常正负20Vmax)

3.集电极电流(IC)-集电极的电极上容许的最大直流电流。

4.最大集电极电流(ICRM)-集电极的电极上容许的最大脉冲电流

5.正向导通电流(IF) ——集成二极管上容许的最大直流正向电流

6.最大正向导通电流(IFRM)——集成二极管上容许的最大脉冲正向电流

7.短路电流(ISC)——IGBT 短路时的电流

8.最大损耗(PTOT)——每个IGBT容许的最大功耗损耗

9.结温(TJ)——使元件能够连续性工作的最大芯片温度

10.正向峰值浪涌电流(IFSM)——在不破坏元件范围内所允许的一周期以上商用正弦半波(50、60HZ)的电流最大值

11.集电极-发射极断路电流(ICES)——门极(下称G)-发射极(下称E)间处于短路状态时,在集电极(下称C)-E间外加指定的电压时C—E间的漏电流

12.门极-发射极间的漏电流(IGES)——C-E间处于短路状态时,在G-E间外加指定的电压时G-E间的漏电流

13.集电极-发射极间的饱和电压(VGE(th))——处于指定的C-E间的电流(下称集电极电流)和C-E间的电压(下称VCE)之间的G-E间的电压(下称VGE)(G-E间有微小电流开始通过时的VGE值用于作为衡量IGBT开始导通时的VGE值尺度)

14.集电极—发射极间的饱和电压(VCE(sat))——在指定的VGE下,额定集电极电流流过时的VCE值(通常,VGE=15V,计算损耗时重要值)

15输入电容(Cies)——C-E间交流性短路状态下,G-E间和C-E间外加指定电压时G-E间的电容。

16.输出电容(Coes)——G-E间交流性短路状态下,G-E间和C-E 间外加指定电压时C-E间的电容

17.反向传输电容(Cres)——在E接地的情况下,G-E间和C-E间外加指定电压时C-E间的电容

18.二极管正向电压(VF)——在内置二极管中流过指定的正方向电流(通常为额定电流)时的正方向电压(与VCE(sat))相同,也算是计算损耗是的重要值.

19.开通时间(tdon):VGE上升到0后,VCE下降到最大

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