mos管损耗和什么有关

mos管损耗和过流、过压、静电有关。

过流——持续大电流或瞬间超大电流引起的结温过高而烧毁。

过压——源漏过压击穿、源栅极过压击穿。

静电——静电击穿，CMOS 电路都怕静电。

MOS的工作状态分为：开通过程（由截止到导通的过渡过程）、导通状态、关断过程（由导通到截止的过渡过程）、截止状态。

　　MOS对应这些状态的主要损耗：开关损耗（开通过程和关断过程），导通损耗，截止损耗（漏电流引起的，这个忽略不计），还有雪崩能量损耗。只要把这些损耗控制在 MOS 承受规格之内，MOS 即会正常工作，超出承受范围，即发生损坏。而开关损耗往往大于导通状态损耗，不同 MOS 这个差距可能很大。