MOS管负载电流和导通压降的关系

与三极管的CE端导通压降固定不同，MOS管的DS端等效为一个可变电阻Rdson，MOS关断时阻值无穷大，而导通时阻值无穷小，所以导通时即使ID很大，这个功耗也很小。

ID电流由负载决定

高压MOS管等效为多个MOS管串联，低压MOS管等效为多个并联

（1）高压MOS管的Rdson大(相同功率的负载，电压大，电流小，等效电阻大，一般为几十毫欧)，GS电容小(串联，所以导通快)。

（2）低压MOS管则相反(Rdson为几毫欧)。

MOS管的DS间有一个体二极管，它与ID方向相反，它的压降是0.7V左右，随着电流增大，这个压降也会变大，如100A时，可能达到1V多的压降。体二极管的电流与ID是接近或相等的。它消耗的功率是很大的，这个损耗叫续流损耗