埸效应管与igbt是一样的么（igbt触发脚并联电阻要多大）

不是,场效应管是mosfet,而igbt是mosfet和gtr(大功率晶体管)复合而成的器件.栅极是mosfet,而c,e极是gtr.

2.

igbt兼具二者的优点:驱动象mosfet一样容易,开关速度可达几十khz;电流象gtr一样大,可达上千安培.现在igbt的使用面很广.

3.

mosfet电流做不大的,但开关速度很高,现主要用在中小功率的开关电源上.